Инженеры научились в промышленном формате выращивать диэлектрическую подложку для графена. Она состоит из нескольких слоев гексагонального нитрида бора, на поверхность которого наслаивается одноатомный углерод. Удачное соединения графена и новой подложки позволяет надеяться на скорое создание графеновых процессоров.
Комментариев нет:
Отправить комментарий